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DS1230AB-70IND

256k Nonvolatile SRAM

DESCRIPTION The DS1230 256k Nonvolatile SRAMs are 262,144-bit, fully static, nonvolatile SRAMs organized as 32,768 words by 8 bits. Each NV SRAM has a self-contained lithium energy source and control circuitry which constantly monitors VCC for an out-of-tolerance condition. When such a conditio

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Dallas

DS1230AB-70IND+

256k Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

DS1230AB-70IND+

256k Nonvolatile SRAM

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Maxim

美信

DS1230AB-70IND

Package:28-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

AD

亚德诺

DS1230AB-70IND+

Package:28-DIP 模块(0.600",15.24mm);包装:管件 类别:集成电路(IC) 存储器 描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

AD

亚德诺

产品属性

  • 产品编号:

    DS1230AB-70IND

  • 制造商:

    Analog Devices Inc./Maxim Integrated

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 包装:

    管件

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    NVSRAM

  • 技术:

    NVSRAM(非易失性 SRAM)

  • 存储容量:

    256Kb(32K x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    70ns

  • 电压 - 供电:

    4.75V ~ 5.25V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    28-DIP 模块(0.600",15.24mm)

  • 供应商器件封装:

    28-EDIP

  • 描述:

    IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP

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更多DS1230AB-70IND供应商 更新时间2025-9-30 15:45:00