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DS1230AB-120IND | 256k Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio | DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体 | Dallas | |
DS1230AB-120IND | Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | |
Package：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 存储器 描述：IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP | ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司 | AD | ||
256kNonvolatileSRAM DESCRIPTION TheDS1230256kNonvolatileSRAMsare262,144-bit,fullystatic,nonvolatileSRAMsorganizedas32,768wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditio | DallasDallas Semiconductor 亚德诺亚德诺半导体 | Dallas |
产品属性
- 产品编号：
DS1230AB-120IND
- 制造商：
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 包装：
管件
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
NVSRAM
- 技术：
NVSRAM（非易失性 SRAM）
- 存储容量：
256Kb（32K x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
120ns
- 电压 - 供电：
4.75V ~ 5.25V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）
- 供应商器件封装：
28-EDIP
- 描述：
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DALLAS |
05+ |
原厂原装 |
4312 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
MAXIM |
23+ |
MOD |
8888 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
DALLAS |
23+ |
MOD |
65480 |
询价 | |||
Maxim Integrated |
24+ |
28-EDIP |
56200 |
一级代理/放心采购 |
询价 | ||
Maxim |
24+ |
28DIP |
3851 |
原装现货 |
询价 | ||
MAXIM |
20+ |
DIP-28 |
1001 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
DALLAS |
23+ |
DIP-28 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
DALLAS |
23+ |
MOD |
5177 |
现货 |
询价 | ||
MAXIM |
23+ |
35500 |
询价 | ||||
Maxim Integrated |
23+ |
28-EDIP |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 |
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