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DS1225Y-150	文件：80.83 Kbytes Page：8 Pages	64K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1225Y-150-IND	文件：80.83 Kbytes Page：8 Pages	64K Nonvolatile SRAM DESCRIPTION TheDS1225Y64kNonvolatileSRAMisa65,536-bit,fullystatic,nonvolatileRAMorganizedas8192wordsby8bits.EachNVSRAMhasaself-containedlithiumenergysourceandcontrolcircuitrywhichconstantlymonitorsVCCforanout-of-tolerancecondition.Whensuchaconditionoccu	Dallas Dallas Semiconductor Corp.	Dallas
DS1225Y-150+	文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages	64k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1225Y-150-IND	文件：283.26 Kbytes Page：7 Pages	64K Nonvolatile SRAM	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
DS1225Y-150IND+	文件：185.93 Kbytes Page：8 Pages	64k Nonvolatile SRAM	MaximMaximIntegrated 美信半导体	Maxim
DS1225Y-150+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
DS1225Y-150IND+	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：28-DIP 模块（0.600"，15.24mm）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD

详细参数

型号：
DS1225Y-150
功能描述：
NVRAM
RoHS：
否
制造商：
Maxim Integrated
数据总线宽度：
8 bit
存储容量：
1024 Kbit
组织：
128 K x 8
接口类型：
Parallel
访问时间：
70 ns
电源电压-最大：
5.5 V
电源电压-最小：
4.5 V
工作电流：
85 mA
最大工作温度：
+ 70 C
最小工作温度：
0 C
封装/箱体：
EDIP
封装：
Tube

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