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ED603CT	文件：40.52 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：51.08 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ELM603	文件：1.24179 Mbytes Page：7 Pages	1.5A1.5MHzhighefficiencyPWMstepdownDC/DCconverter	ELM ELM Electronics	ELM
ER603	文件：206.92 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Superfastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength, 5lbs.(2.3kg	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ER603DC	文件：152.76 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ●Forsurfacemountedapplications ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Easypickandplace ●Superfastrecoverytimesforhighefficiency ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ●Glasspassivatedjunction ●Hightemperaturesol	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
FDB603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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详细参数

型号：
DRV603PWR
功能描述：
缓冲器和线路驱动器 2Vrms DIRECTPATH Var Inp Gain Line Drvr
RoHS：
否
制造商：
Micrel
输入线路数量：
1
输出线路数量：
2
极性：
Non-Inverting
电源电压-最大：
+/- 5.5 V
电源电压-最小：
+/- 2.37 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
MSOP-8
封装：
Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DRV603PWR供应商更新时间2025-7-24 14:48:00

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