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ELM603	文件：1.24179 Mbytes Page：7 Pages	1.5A1.5MHzhighefficiencyPWMstepdownDC/DCconverter	ELM ELM Electronics	ELM
ER603	文件：206.92 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Superfastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength, 5lbs.(2.3kg	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ER603DC	文件：152.76 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ●Forsurfacemountedapplications ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Easypickandplace ●Superfastrecoverytimesforhighefficiency ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ●Glasspassivatedjunction ●Hightemperaturesol	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
FDB603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDP603AL	文件：332.38 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=22mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCconv	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FG603	文件：198.82 Kbytes Page：2 Pages	6.0AmpMINIATUREPLASTICSILICONRECTIFIERSLOWCOSTLOWLEAKAGE	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FGM603	文件：175.58 Kbytes Page：4 Pages	SelectionGuide SANKENIGBT FGT313,FGT312,FGT412,FGT612,FGM622S,FGM603,FGM623S,MGD623N,MGD623S	SankenSanken electric 三垦三垦电气株式会社	Sanken

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	DRV603PWRG4	TI	2020+	TSSOP	898	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
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