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ED603CT	文件：40.62 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIER(VOLTAGE-200to600VoltsCURRENT-6.0Amperes) SUPERFASTRECOVERYRECTIFIER VOLTAGE-200to600VoltsCURRENT-6.0Amperes FEATURES •Forthoroughholeapplications •Lowprofilepackage •Built-instrainrelief •Easypickandplace •Superfastrecoverytimesforhighefficiency •PlasticpackagehasUnderwriters	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：40.52 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ED603CT	文件：51.08 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECOVERYRECTIFIERS	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
ELM603	文件：1.24179 Mbytes Page：7 Pages	1.5A1.5MHzhighefficiencyPWMstepdownDC/DCconverter	ELM ELM Electronics	ELM
ER603	文件：206.92 Kbytes Page：2 Pages	SUPERFASTRECTIFIER Features TheplasticpackagecarriesUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Superfastswitchingforhighefficiency Lowreverseleakage Highforwardsurgecurrentcapability Hightemperaturesolderingguaranteed: 250C/10seconds,0.375”(9.5mm)leadlength, 5lbs.(2.3kg	SYChangzhou Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SY
ER603DC	文件：152.76 Kbytes Page：2 Pages	DPAKSURFACEMOUNTSUPERFASTRECTIFIER FEATURES ●Forsurfacemountedapplications ●Lowprofilepackage ●Built-instrainrelief ●Easypickandplace ●Superfastrecoverytimesforhighefficiency ●PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-O ●Glasspassivatedjunction ●Hightemperaturesol	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
FDB603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：237.55 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FDD603AL	文件：352.62 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=33A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=30V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=23mΩ(Max) ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmod	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FDP603AL	文件：414.53 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannellogiclevelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance.Thesedevicesareparticularlysuit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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