DRV5012中文资料低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器数据手册TI规格书
| 厂商型号 |
DRV5012 |
| 参数属性 | DRV5012 封装/外壳为4-XFDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为传感器变送器的磁性传感器-开关（固态）；产品描述：MAGNETIC SWITCH LATCH 4X2SON |
| 功能描述 | 低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器 |
| 封装外壳 | 4-XFDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | TI Texas Instruments |
| 中文名称 | 德州仪器 美国德州仪器公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 17:06:00 |
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DRV5012规格书详情
描述 Description
DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™
当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。
通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。
此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。
特性 Features
• 行业领先的低功耗特性
• 可通过引脚选择的采样率：
• SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
• SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz
• VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
• 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
• 可靠磁滞：4mT（典型值）
• 推挽式 CMOS 输出
• 小型纤薄 X2SON 封装
• 运行温度范围：–40°C 至 +85°C
技术参数
- 制造商编号
：DRV5012
- 生产厂家
：TI
- Supply voltage (Vcc) (Min) (V)
：1.65
- Supply voltage (Vcc) (Max) (V)
：5.5
- Operate point (Max) (mT)
：3.3
- Release point (Min) (mT)
：-3.3
- Output
：Push-pull output driver
- Operating temperature range (C)
：-40 to 85
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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