DRV5012中文资料低功耗（低至 3.3μA）、低电压（最高 5.5V）霍尔效应锁存器数据手册TI规格书

描述 Description

DRV5012 器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器。 ™

当南磁极靠近封装顶部并且超出 BOP 阈值时，该器件会驱动低电压。输出会保持低电平，直到应用北极并且超出 BRP 阈值，这将使输出驱动高电压。必须交换北极和南极才能切换输出，且集成的磁滞会分开 BOP 和 BRP 以提供可靠切换。

通过使用内部振荡器，DRV5012 器件对磁场进行采样，并根据 SEL 引脚以 20Hz 或 2.5kHz 的速率更新输出。这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。

此器件通过 1.65V 至 5.5V 的 VCC 工作，并采用小型 X2SON 封装。

特性 Features

• 行业领先的低功耗特性
• 可通过引脚选择的采样率：
• SEL = 低电平：使用 1.3µA (1.8V) 时为 20Hz
• SEL = 高电平：使用 142µA (1.8V) 时为 2.5kHz

• VCC 工作电压范围为 1.65V 至 5.5V
• 高磁性灵敏度：±2mT（典型值）
• 可靠磁滞：4mT（典型值）
• 推挽式 CMOS 输出
• 小型纤薄 X2SON 封装
• 运行温度范围：–40°C 至 +85°C

简介

DRV5012属于传感器变送器的磁性传感器-开关（固态）。由TI制造生产的DRV5012磁性传感器 - 开关（固态）该系列产品使用固态技术来检测是否存在超过某个特定幅度和/或标示的磁场，并提供指示是否存在此类磁场的双态输出。它们与磁簧开关以及线性或罗盘型固态器件不同，前者通过使用移动机械部件来提供类似的功能，后者提供指示所施加磁场的强度和/或方向的可变输出。