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GPDG3115	文件：128.24 Kbytes Page：2 Pages	RECTIFIERDIODE	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
GPDG3115	文件：101.45 Kbytes Page：1 Pages	RECTIFIERDIODE	GPSEMI Green Power Solutions srl	GPSEMI
HM3115	文件：665.6 Kbytes Page：15 Pages	150KHz36V5Aswitchingcurrent	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HO-NP-3115	文件：929.58 Kbytes Page：12 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
HO-P-3115	文件：1.33861 Mbytes Page：15 Pages	CurrentTransducer	LEMlem 莱姆莱姆集团	LEM
IDS-3115	文件：362.96 Kbytes Page：2 Pages	15XGAIndustrialOpenFrameMonitor	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IDS-3115	文件：782.5 Kbytes Page：2 Pages	15XGAIndustrialOpenFrameMonitor	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPT3115	文件：168.69 Kbytes Page：1 Pages	DummyStowageReceptacles	GLENAIR Glenair, Inc.	GLENAIR
K3115	文件：1.10767 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET FEATURES •Lowfigure-of-merit(FOM)RonxQg •Lowinputcapacitance(Ciss) •Reducedswitchingandconductionlosses •Ultralowgatecharge(Qg) •Avalancheenergyrated(UIS) APPLICATIONS •Serverandtelecompowersupplies •Switchmodepowersupplies(SMPS) •Powerfactorcorrection	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
K3115B	文件：351.31 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR SWITCHING N-CHANNELPOWERMOSFET DESCRIPTION The2SK3115BisN-ChannelMOSFETdevicethatfeaturesa lowgatechargeandexcellentswitchingcharacteristics,and designedforhighvoltageapplicationssuchasswitchingpower supply,ACadapter. FEATURES •Lowgatecharge QG=21nC	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
DRA3115T0L
制造商：
Panasonic Electronic Components
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
PNP - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
160 @ 5mA，10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
250mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-723
供应商器件封装：
SSSMini3-F2-B
描述：
TRANS PREBIAS PNP 100MW SSSMINI3

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更多DRA3115T供应商更新时间2025-7-26 14:17:00

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