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DPLS315E	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70mΩ at 3A • High DC Current Gain hFE > 300 at IC = 2A • Complementary NPN Type Available (DNLS412E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or A 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS315E-13	文件：164.75 Kbytes Page：4 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Low Collector-Emitter Saturation Resistance RCE(SAT) = 70mΩ at 3A • High DC Current Gain hFE > 300 at IC = 2A • Complementary NPN Type Available (DNLS412E) • Ideally Suited for Automated Assembly Processes • Ideal for Medium Power Switching or A 文件：164.75 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DPLS315E	文件：300 bytes Page：1 Pages	LOW VCE(SAT) PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR	Diodes 美台半导体	Diodes
DPLS315E-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 15V 3A SOT223	PAM 龙鼎微	PAM

更多DPLS315E供应商更新时间2025-10-6 11:10:00