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IRF654	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654A	文件：238.33 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=250V ♦LowRDS(ON):0.108Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654A	文件：280.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF654B	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF654B	文件：280.37 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFI654B	文件：670.72 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ·Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES ·AvalancheRuggedTechnology ·RuggedGateOxideTechnology ·LowerInputCapacitance ·ImprovedGateCharge ·ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS654B	文件：867.92 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS654B	文件：264.31 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
DP-654DFC
制造商：
Citizen Systems America Corporation
功能描述：
24V dot/40 column/3.6LPS/2-color(in 3550/51 printers)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	DP655	PARADE	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	DP655	RARADE	23+	BGA	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威雅利发展有限公司	DP655	RARADE	12+	BGA	130	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	DP655	PARADE	24+	NA/	3383	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳深宇韬电子科技有限公司	DP655	RARADE	2023+	BGA	8800	正品渠道现货终端可提供BOM表配单。	询价
深圳市科芯源微电子有限公司	DP655	PARADE	25+	BGA	133	原装正品,假一罚十!	询价
深圳市博中泰实业有限公司	DP655	PARADE/谱瑞科技	24+	BGA	60000	全新原装现货	询价
深圳市航润创能电子集团有限公司	DP655	RARADE	21+	BGA	130	原装现货假一赔十	询价
深圳市信达伟业电子有限公司	DP655	PARADE	25+	BGA	133	原装正品,假一罚十!	询价
千层芯半导体(深圳)有限公司	DP6558	DP	24+	SMD	20000	一级代理原装现货假一罚十	询价

更多DP-654DFC供应商更新时间2025-7-26 11:00:00

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