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DMWSH120H28SM4Q数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMWSH120H28SM4Q

功能描述

1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 10:34:00

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DMWSH120H28SM4Q规格书详情

描述 Description

This SiC MOSFET is designed to minimize the on-state resistance yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power-management applications.

技术参数

  • 制造商编号

    :DMWSH120H28SM4Q

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)

    :Automotive

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No

  • |VDS| (V)

    :1200 V

  • |VGS| (±V)

    :15

  • |IDS| @TC = +25°C (A)

    :100 A

  • PD @TC = +25°C (W)

    :429 W

  • RDS(ON)Max @ VGS(10V)(mΩ)

    :28.5 (@ 15V) mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :1.8 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :3.6 V

  • QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)

    :156.3 (@ 15V) nC

  • CISS Typ (pF)

    :3944 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :1000 V

  • Packages

    :TO247-4 (Type WH)

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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