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DMWSH120H18HM3数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMWSH120H18HM3

功能描述

1200V N-Channel Silicon Carbide Power MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 14:31:00

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技术参数

  • 制造商编号

    :DMWSH120H18HM3

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AECQualified

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes (Y|N)

    :No

  • |VDS| (V)

    :1200 V

  • |VGS| (±V)

    :18

  • |IDS| @TC = +25°C (A)

    :108 A

  • PD @TC = +25°C (W)

    :313 W

  • RDS(ON)Max@ VGS(10V) (mΩ)

    :18 (@ 18V) mΩ

  • |VGS(TH)| Min (V)

    :2.04 V

  • |VGS(TH)| Max (V)

    :4.4 V

  • QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)

    :158 (@ 18V) nC

  • CISS Typ (pF)

    :4206 pF

  • CISS Condition @|VDS| (V)

    :800 V

  • Packages

    :TO247 Standard

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