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DMTH10H032LPSW中文资料100V +175°C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET数据手册Diodes规格书
DMTH10H032LPSW规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
技术参数
- 制造商编号
：DMTH10H032LPSW
- 生产厂家
：Diodes
- Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP)
：Standard
- Polarity
：N
- ESD Diodes (Y|N)
：N
- |VDS| (V)
：100 V
- |VGS| (±V)
：20 ±V
- |IDS| @TC = +25°C (A)
：33 A
- PD @TA = +25°C (W)
：3.4 W
- PD @TC = +25°C (W)
：68 W
- RDS(ON)Max @ VGS(10V)(mΩ)
：32 mΩ
- RDS(ON)Max @ VGS(4.5V)(mΩ)
：50 mΩ
- |VGS(TH)| Min (V)
：1.3 V
- |VGS(TH)| Max (V)
：2.5 V
- QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC)
：6.3 nC
- QG Typ @ |VGS| = 10V (nC)
：11.9 nC
- CISS Typ (pF)
：683 pF
- CISS Condition @|VDS| (V)
：50 V
- Packages
：PowerDI5060-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
DIODES/美台 |
2511 |
PowerDI5060-8 |
360000 |
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Diodes(美台) |
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DIODES(美台) |
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7350 |
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DIODES/美台 |
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500000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
DFN5060-8 |
986966 |
国产 |
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