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DMT8012LK3中文资料80V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
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特性 Features
Synchronous Rectifier
Backlighting
Power Management Functions
DC-DC Converters
应用 Application
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
技术参数
- 制造商编号
:DMT8012LK3
- 生产厂家
:Diodes
- Automotive Compliant PPAP
:No
- Polarity
:N
- ESD Diodes
:No
- VDS
:80 V
- VGS
:20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
:N/A A
- PD @ TA = +25°C
:N/A W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
:17 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
:22 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
:N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
:N/A mΩ
- VGS (th) Max
:3 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
:15 nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
:34 nC
- Packages
:TO252 (DPAK)
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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DIODES/美台 |
20+ |
SMD |
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Diodes(美台) |
23+ |
NA |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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TO-252-2(DPAK) |
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DIODES美台 |
23+ |
TO-252-2(DPAK) |
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Diodes Incorporated |
2022+ |
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DIODES(美台) |
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TO-252-2(DPAK) |
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DIODES(美台) |
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