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DMT616MLSS数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMT616MLSS

功能描述

60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 12:00:00

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DMT616MLSS规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and maintain superior switching performance, which makes it ideal for high-efficiency power management applications.

特性 Features

•100% Unclamped Inductive Switching (UIS) Test in Production— Ensures More Reliable and Robust End Application
•High Conversion Efficiency
•Low RDS(ON)—Minimizes On-State Losses
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed

应用 Application

•High-Frequency Switching
•Synchronous Rectification
•DC-DC Converters

技术参数

  • 制造商编号

    :DMT616MLSS

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :60 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :10 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.06 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :14 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :21 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2.2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :7.3 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :13.6 nC

  • Packages

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