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DMT10H010LK3数据手册Diodes中文资料规格书

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厂商型号

DMT10H010LK3

功能描述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-7 20:00:00

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DMT10H010LK3规格书详情

描述 Description

This new generation MOSFET features low on-resistance and fast switching, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust End Application
Low RDS(ON) – Minimises Power Losses
Low QG – Minimises Switching Losses

应用 Application

Power Management Functions
DC-DC Converters
Backlighting

技术参数

  • 制造商编号

    :DMT10H010LK3

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :N/A A

  • PD @ TA = +25°C

    :3 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :8.8 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :53.7 nC

  • Packages

    :TO252 (DPAK)

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