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DMT10H009SSS数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

DMT10H009SSS

参数属性

DMT10H009SSS 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\u0026R

功能描述

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-8-8 9:50:00

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DMT10H009SSS规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

•High Conversion Efficiency
•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed

应用 Application

• High Frequency Switching

• Synchronous Rectification

• DC-DC Converters

技术参数

  • 制造商编号

    :DMT10H009SSS

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :12 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :9.2 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :4 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :N/A nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :29.8 nC

  • Packages

    :SO-8

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