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DMT10H009SSS中文资料100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书
| 厂商型号 |
DMT10H009SSS |
| 参数属性 | DMT10H009SSS 包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T\u0026R |
| 功能描述 | 100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET |
| 制造商 | Diodes Diodes Incorporated |
| 中文名称 | 美台半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 10:31:00 |
| 人工找货 | DMT10H009SSS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
DMT10H009SSS规格书详情
描述 Description
This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
特性 Features
•High Conversion Efficiency
•Low RDS(ON) – Minimizes On-State Losses
•Low Input Capacitance
•Fast Switching Speed
应用 Application
• High Frequency Switching
• Synchronous Rectification
• DC-DC Converters
简介
DMT10H009SSS属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMT10H009SSS晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
：DMT10H009SSS
- 生产厂家
：Diodes
- Automotive Compliant PPAP
：No
- Polarity
：N
- ESD Diodes
：No
- VDS
：100 V
- VGS
：20 ±V
- IDS @ TA = +25°C
：12 A
- PD @ TA = +25°C
：2.1 W
- RDS(ON) Max @ VGS (10V)
：9.2 mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)
：N/A mΩ
- RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)
：N/A mΩ
- VGS (th) Max
：4 V
- QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)
：N/A nC
- QG Typ @ VGS = 10V (nC)
：29.8 nC
- Packages
：SO-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Diodes |
22+ |
TO2203 |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
DIODES |
24+ |
TO-252 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
2511 |
SO-8 |
360000 |
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询价 | ||
DIODES |
22+ |
NA |
122 |
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24+ |
N/A |
58000 |
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DiodesZetex |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
N/A |
500000 |
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询价 | ||
DIODES/美台 |
24+ |
NA/ |
6880 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOP-8 |
986966 |
国产 |
询价 | ||
Diodes(美台) |
24+ |
NA/ |
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询价 |
