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DMP3056L_15

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:592.88 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L_17

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:507.51 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-13

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:520.289 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-13

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:507.51 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-13

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:592.88 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-7

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:592.88 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-7

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:520.289 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056L-7

30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

文件:507.51 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DMP3056LSD_15

DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:230.98 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DMP3056LSS

SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件:600.76 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DMP3056

  • 功能描述:

    MOSFET PMOS-DUAL

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多DMP3056供应商 更新时间2026-3-14 13:38:00