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DMP2123L-7	文件：170.17 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES

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DMP2123L-7

文件：170.17 Kbytes

Page：4 Pages

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR

Features •LowRDS(ON) ◾72mΩ@VGS=-4.5V ◾108mΩ@VGS=-2.7V ◾123mΩ@VGS=-2.5V •LowInput/OutputLeakage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHighRelia

DIODESDiodes Incorporated

美台半导体

DIODES

详细参数

型号：
DMP2123L-7
功能描述：
MOSFET P-Channel 1.4W
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多DMP2123L-7供应商更新时间2025-7-21 18:34:00

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