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DMN3032LFDB中文资料DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN3032LFDB

功能描述

DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 13:44:00

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DMN3032LFDB规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications.

特性 Features

Low On-Resistance
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage

应用 Application

Power Management Functions
DC-DC Converters
STB
Notebooks
Communications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN3032LFDB

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :DMN3032LFDBQ

  • Polarity

    :N+N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :30 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :6.2 A

  • PD @ TA = +25°C

    :1.7 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :30 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :42 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :2 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :5 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :10.6 nC

  • Packages

    :U-DFN2020-6 (Type B)

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