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DMN3032LFDB	文件：546.21 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：546.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDB-13	文件：546.21 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：546.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDB-7	文件：546.21 Kbytes Page：6 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：546.21 Kbytes 页数：6 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ-13	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDBQ-7	文件：580.09 Kbytes Page：7 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：580.09 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
DMN3032LFDB	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high-efficiency power management applications. Low On-Resistance\nLow Input Capacitance\nFast Switching Speed\nLow Input/Output Leakage;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3032LFDBQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101 and supported by a PPAP. 100% Unclamped Inductive Switching – Ensures More Reliable and Robust Application\nLow On-Resistance – Minimizes Power Losses\nLow Gate Charge – Minimizes Switching Losses\nSmall Form Factor Low Profile Package – Increased Power Density;	Diodes 美台半导体	Diodes
DMN3032LFDBWQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This MOSFET is designed to meet the stringent requirements of Automotive applications. It is qualified to AEC-Q101, supported by a PPAP. •100% Unclamped Inductive Switching—Ensures More Reliable and Robust Application\n•Low On-Resistance—Minimizes Power Losses\n•Low Gate Charge—Minimizes Switching Losses\n•Small Form Factor Low-Profile Package—Increased Power Density\n•Sidewall Plated for Improved Optical Inspection\n•Totally Lea;	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
DMN3032LFDBQ
Polarity：
N+N
ESD Diodes：
No
VDS：
30 V
VGS：
20 ±V
IDS @ TA = +25°C：
6.2 A
PD @ TA = +25°C：
1.7 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
30 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
42 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
2 V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
5 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
10.6 nC
Packages：
U-DFN2020-6 (Type B)

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更多DMN3032LFDB供应商更新时间2026-1-7 14:00:00

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