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DMN2400UFB4中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN2400UFB4

参数属性

DMN2400UFB4 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH SOT23

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
MOSFET N-CH SOT23

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-27 22:59:00

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DMN2400UFB4规格书详情

简介

DMN2400UFB4属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的DMN2400UFB4晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DMN2400UFB4

  • 生产厂家

    :Diodes

  • AutomotiveCompliantPPAP

    :OnRequest*

  • Polarity

    :N

  • ESDDiodes

    :Yes

  • VDS

    :20V

  • VGS

    :12±V

  • IDS@TA=+25°C

    :0.75A

  • PD@TA=+25°C

    :0.47W

  • RDS(ON)Max@VGS(10V)

    :N/AmΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(4.5V)

    :550mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(2.5V)

    :750mΩ

  • RDS(ON)Max@VGS(1.8V)

    :900mΩ

  • VGS(th)Max

    :0.9V

  • QGTyp@VGS=4.5V(nC)

    :0.5nC

  • QGTyp@VGS=10V(nC)

    :N/AnC

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