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DMN21D2UFB中文资料N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMN21D2UFB

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 18:21:00

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DMN21D2UFB规格书详情

描述 Description

This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance
(RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it
ideal for high efficiency power management applications.

应用 Application

General Purpose Interfacing SwitchPower Management FunctionsAnalog Switch
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\t\t\t\tProduct Specifications

技术参数

  • 制造商编号

    :DMN21D2UFB

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :Yes

  • VDS

    :20 V

  • VGS

    :12 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :0.76 A

  • PD @ TA = +25°C

    :N/A W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :990 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :1200 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :2400 mΩ

  • VGS (th) Max

    :1 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :0.47 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :0.92 nC

  • Packages

    :X1-DFN1006-3

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