DMN2009USS-13中文资料美台半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	DMN2009USS-13
功能描述	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
丝印标识	N2009US
封装外壳	SO-8
文件大小	458.46 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	Diodes Incorporated
企业简称	DIODES【美台半导体】
中文名称	美台半导体官网
原厂标识	DIODES
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-8-6 8:02:00
人工找货	DMN2009USS-13价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

Description and Applications

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance

(RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it

ideal for high efficiency power management applications.

 Backlighting

 Power Management Functions

 DC-DC Converters

特性 Features

 Low On-Resistance

 Low Gate Threshold Voltage

 Low Input Capacitance

 Fast Switching Speed

 Low Input/Output Leakage

 Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

 Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

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