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DMN1004UFDF-7

12V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

Description This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Features • 0.6mm Profile – Ideal for Low-Profile Applications • PCB Footprint of 4mm2

文件:493.41 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

DMN1032UCB4-7

DIODESINC

DMN10H120SFG

DIODES INC

DMN2011UFDE-7

U-DFN2020-6

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更多DMN1004UFDF-7供应商 更新时间2026-1-30 14:00:00