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DMHT3006LFJ中文资料30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMHT3006LFJ

功能描述

30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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DMHT3006LFJ规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)), yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

• Low On-Resistance
• Low Input Capacitance

应用 Application

•High-Efficiency Bridge Rectifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :DMHT3006LFJ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :No

  • Polarity

    :N

  • ESD Diodes

    :No

  • VDS

    :30 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDS @ TA = +25°C

    :13 A

  • PD @ TA = +25°C

    :2.1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :10 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :15 mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)

    :N/A mΩ

  • RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)

    :N/A mΩ

  • VGS (th) Max

    :3 V

  • QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)

    :9 nC

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :17 nC

  • Packages

    :V-DFN5045-12 (Type C)

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