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DMHC10H170SFJ中文资料100V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE数据手册Diodes规格书

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厂商型号

DMHC10H170SFJ

功能描述

100V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE MOSFET H-BRIDGE

制造商

Diodes Diodes Incorporated

中文名称

美台半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-24 9:05:00

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DMHC10H170SFJ规格书详情

描述 Description

This MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

特性 Features

Low On-Resistance
\t
\t\tLow Input Capacitance

应用 Application

High-Efficiency Bridge Rectifiers

技术参数

  • 制造商编号

    :DMHC10H170SFJ

  • 生产厂家

    :Diodes

  • Automotive Compliant PPAP

    :On Request*

  • Type

    :2 x P

  • ESD Diodes

    :No Y/N

  • VDS

    :100 V

  • VGS

    :20 ±V

  • IDSA +25ºC

    :2.3

  • PDW +25ºC

    :2.1 W

  • RDS(ON) Max @ VGS (10V)

    :250

  • RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)

    :300

  • CISS Typ

    :1239

  • QG Typ @ VGS = 10V (nC)

    :17.5

  • Packages

    :V-DFN5045-12

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