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DS9610B	文件：156.6 Kbytes Page：12 Pages	HighVoltageSynchronousRectifiedBuckMOSFETDriverforNotebookComputer	RichTekRichtek Technology Corporation 台湾立绮立绮科技	RichTek
EKI-9610	文件：364.06 Kbytes Page：2 Pages	Automaticbackupandrestoreconfigurationtoolformanagedswitches Features RS-232RJ45/M12consoleportsconnection Plugandplay,quicklybackupandrestoreconfiguration Reducesystemdowntimewithoutextrapowerinput Easyandconvenientwaytoreloadsystemconfiguration SupportAdvantech'smanagedEthernetswitches	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
FM9610	文件：604.99 Kbytes Page：8 Pages	1AsynchronousmobilepowerIC	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
FM9610B	文件：192.13 Kbytes Page：7 Pages	1AsynchronousmobilepowerIC	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
HF9610	文件：59.83 Kbytes Page：3 Pages	HERMETICALLYSEALEDLATCHINGRELAY	HONGFAHongfa Technology 宏发电声厦门宏发电声股份有限公司	HONGFA
IRF9610	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF9610	文件：271.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610	文件：161.49 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •Dynamic	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610	文件：290.23 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=-1.8A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=-200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=-10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF9610PBF	文件：1.64409 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETstechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingofthePowerMOSFETsdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. TheTO-220p	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610PBF	文件：1.33245 Mbytes Page：8 Pages	HEXFETPOWERMOSFET(VDSS=-200V,RDS(on)=3.0廓,ID=-1.8A)	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610PBF	文件：157.73 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610S	文件：206.04 Kbytes Page：10 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAK(TO-263)isasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizesuptoHEX-4.Itprov	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610S	文件：163.07 Kbytes Page：6 Pages	PowerMOSFET(Vdss=-200V,Rds(on)=3.0ohm,Id=-1.8A) Description TheHEXFETtechnologyisthekeytointernationalRectifiersadvancedlineofpowerMOSFETtransistors.TheefficientgeometryanduniqueprocessingoftheHEXFETdesignachieveverylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductanceandextremedeviceruggedness. •Surface	IRF International Rectifier	IRF
IRF9610S	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610SPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610STRLPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF9610STRRPBF	文件：199.64 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •DynamicdV/dtrating •P-channel •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatasheetprovidesinforma	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多DMA9610F供应商更新时间2024-9-23 17:12:00

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