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7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
7413SYZBE	文件：1.03503 Mbytes Page：14 Pages	7000SeriesMiniatureToggleSwitches	CK-COMPONENTS C&K Components
AM7413P	文件：409.49 Kbytes Page：5 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	AnalogPower Analog Power
AO7413	文件：219.28 Kbytes Page：5 Pages	20VP-ChannelMOSFET	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO7413	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
AO7413L	文件：114.19 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheAO7413usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatecharge,andoperationwithgatevoltagesaslowas1.8V,inthesmallSOT323footprint.Itcanbeusedforawidevarietyofapplications,includingloadswitching,lowcurrentinvertersandlow	AOSMDAlpha & Omega Semiconductors 万国半导体美国万国半导体
HD7413	文件：143.51 Kbytes Page：4 Pages	TTLHD74/HD74SSeries	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司
IRF7413	文件：1.84902 Mbytes Page：6 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS(V)=30V ●ID=12A(VGS=10V) ●RDS(ON)	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司
IRF7413	文件：123.19 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Id=12A) SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF7413A	文件：116.16 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET(Vdss=30V,Rds(on)=0.0135ohm) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413GPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413GTRPBF	文件：264.75 Kbytes Page：9 Pages	GenerationVTechnology	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413PBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	ULTARLOWONRESISTANCE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413PBF	文件：211.18 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413QPBF	文件：257.48 Kbytes Page：9 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description TheseHEXFET®PowerMOSFETsinSO-8packageutilizethelastestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.AdditionalfeaturesoftheseHEXFETPowerMOSFETsarea150°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetitiveaval	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TR	文件：244.97 Kbytes Page：9 Pages	UltraLowOn-Resistance SMPSMOSFET Benefits •LowGatetoDrainChargetoReduce SwitchingLosses •FullyCharacterizedCapacitanceIncluding EffectiveCOSStoSimplifyDesign,(See App.NoteAN1001) •FullyCharacterizedAvalancheVoltage andCurrent Applications •HighfrequencyDC-DCconverters	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TR	文件：422.14 Kbytes Page：8 Pages	GenerationVTechnology GenerationVTechnology UltraLowOn-Resistance N-ChannelMosfet SurfaceMount AvailableinTape&Reel Dynamicdv/dtRating FastSwitching 100RgTested Lead-Free Application Features VDS(V)=30V RDS(ON)12m(VGS=10V) RDS(ON)17m(VGS=4.5V)	UMWUMW 友台友台半导体
IRF7413TRPBF	文件：263.63 Kbytes Page：9 Pages	fastsuitching	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRF7413TRPBF	文件：1.89771 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司

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详细参数

型号：
DM7413J
功能描述：
Dual 4-input NAND Gate

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市特顺芯科技有限公司	DM7413J	NS	744C	DIP-14	12		询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司	DM7413J		23+	N/A	46580	正品授权货源可靠	询价
深圳市深创辉科技有限公司	DM7413N	NAT	86		10	原装正品现货供应	询价
深圳市伟胜微电子有限公司	DM7413N	NS	18+	DIP14	999999	进口全新原装现货	询价
深圳市维尔达电子有限公司	DM7413N		2023+	DIP	80000	一级代理/分销渠道价格优势十年芯程一路只做原装正品	询价
深圳市凯盛恒创科技有限公司	DM7413N	NAT		最新	10	原装正品现货供应价格优	询价
深圳市振鑫微电子科技有限公司	DM7413N	NAT	23+		589610	新到现货原厂一手货源价格秒杀代理!	询价
深圳市创盛芯科技有限公司	DM7413N	NS/国半	22+	DIP14	600	原装现货假一赔十	询价
标准国际(香港)有限公司	DM7413N	DM7413N		75	75		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	DM7413N	NS/国半	21+ROHS	DIP14	18536	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价

更多DM7413J供应商更新时间2024-4-27 16:30:00

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