Triple 3-Input NAND Gates

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NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

Triple 3-Input NAND Gates

TI

德州仪器

Triple 3-Input NAND Gates

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NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

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DIODES

美台半导体

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI

Features  Low RDS(ON) – Ensures on State Losses Are Minimized  Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher Density End Products  Occupies Just 33 of the Board Area Occupied by SO-8 Enabling Smaller End Product  100 UIS (Avalanche) Rated  100 Rg Tested  Lead-Free Fini

文件：509.93 Kbytes 页数：7 Pages

DIODES

美台半导体

Ultra-Low Capacitance ESD Protection

文件：124.02 Kbytes 页数：6 Pages

ONSEMI

安森美半导体