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DG613DY-T1-E3

High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches

FEATURES • Fast switching - tON: 12 ns • Low charge injection: ± 2 pC • Wide bandwidth: 500 MHz • 5 V CMOS logic compatible • Low RDS(on): 18  • Low quiescent power : 1.2 nW • Single supply operation BENEFITS • Improved data throughput • Minimal switching transients • Improved system

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DG613DY-T1-E3

High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches

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DG613DY-T1-E3

High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches

文件:130.72 Kbytes 页数:10 Pages

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DG646BH25

DG8065101533700

-

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

详细参数

  • 型号:

    DG613DY-T1-E3

  • 功能描述:

    模拟开关 IC Quad SPST 10.5/21V

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 开关数量:

    2

  • 开关配置:

    SPDT

  • 开启电阻(最大值):

    0.1 Ohms

  • 工作电源电压:

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DSBGA-16

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更多DG613DY-T1-E3供应商 更新时间2026-1-30 14:00:00