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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

FEATURES • Ultra low charge injection (± 0.5 pC, typ. over the full analog signal range) • Leakage current

文件:240.36 Kbytes 页数:15 Pages

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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

文件:190.35 Kbytes 页数:10 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

文件:192.39 Kbytes 页数:13 Pages

VISHAYVishay Siliconix

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DG646BH25

DG8065101533700

-

INTEL(英特尔)

上传:深圳市盈慧通电子有限公司

INTEL(英特尔)

详细参数

  • 型号:

    DG636EN-T1-E4

  • 功能描述:

    模拟开关 IC Dual SPDT Switches

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 开关数量:

    2

  • 开关配置:

    SPDT

  • 开启电阻(最大值):

    0.1 Ohms

  • 工作电源电压:

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DSBGA-16

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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模拟开关ICDualSPDTSwitches
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更多DG636EN-T1-E4供应商 更新时间2026-2-6 17:52:00