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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

FEATURES •Ultralowchargeinjection (±0.5pC,typ.overthefullanalogsignalrange) •Leakagecurrent

VishayVishay Siliconix

威世科技

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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

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DG636EN-T1-E4

0.5 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Dual SPDT Analog Switch

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威世科技

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详细参数

  • 型号:

    DG636EN-T1-E4

  • 功能描述:

    模拟开关 IC Dual SPDT Switches

  • RoHS:

  • 制造商:

    Texas Instruments

  • 开关数量:

    2

  • 开关配置:

    SPDT

  • 开启电阻(最大值):

    0.1 Ohms

  • 工作电源电压:

    2.7 V to 4.5 V

  • 最大工作温度:

    + 85 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    DSBGA-16

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Vishay
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更多DG636EN-T1-E4供应商 更新时间2024-4-27 10:01:00