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DG613AEN-T1-E4	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches DESCRIPTION The DG611/612/613 feature high-speed low-capacitance lateral DMOS switches. Charge injection has been minimized to optimize performance in fast sample-and-hold applications. FEATURES ● Fast Switching— tON: 12 ns ● Low Charge Injection: 2 pC ● Wide Bandwidth: 500 MHz ● 5-V CMOS L 文件：194.23 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG613AEN-T1-E4	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 Definition • Low charge injection (1 pC typ.) • Leakage current 文件：327.35 Kbytes 页数：17 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG613AEN-T1-E4	文件：240.42 Kbytes Page：15 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches 文件：240.42 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
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更多DG613AEN-T1-E4供应商更新时间2026-1-26 16:30:00