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DG612AEN-T1-E4	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches DESCRIPTION The DG611/612/613 feature high-speed low-capacitance lateral DMOS switches. Charge injection has been minimized to optimize performance in fast sample-and-hold applications. FEATURES ● Fast Switching— tON: 12 ns ● Low Charge Injection: 2 pC ● Wide Bandwidth: 500 MHz ● 5-V CMOS L 文件：194.23 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEN-T1-E4	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 Definition • Low charge injection (1 pC typ.) • Leakage current 文件：327.35 Kbytes 页数：17 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEQ-T1-E3	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 Definition • Low charge injection (1 pC typ.) • Leakage current 文件：327.35 Kbytes 页数：17 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEQ-T1-E3	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches DESCRIPTION The DG611/612/613 feature high-speed low-capacitance lateral DMOS switches. Charge injection has been minimized to optimize performance in fast sample-and-hold applications. FEATURES ● Fast Switching— tON: 12 ns ● Low Charge Injection: 2 pC ● Wide Bandwidth: 500 MHz ● 5-V CMOS L 文件：194.23 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEY-T1-E3	文件：327.35 Kbytes Page：17 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches FEATURES • Halogen-free according to IEC 61249-2-21 Definition • Low charge injection (1 pC typ.) • Leakage current 文件：327.35 Kbytes 页数：17 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEY-T1-E3	文件：194.23 Kbytes Page：11 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches DESCRIPTION The DG611/612/613 feature high-speed low-capacitance lateral DMOS switches. Charge injection has been minimized to optimize performance in fast sample-and-hold applications. FEATURES ● Fast Switching— tON: 12 ns ● Low Charge Injection: 2 pC ● Wide Bandwidth: 500 MHz ● 5-V CMOS L 文件：194.23 Kbytes 页数：11 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEN-T1-E4	文件：240.42 Kbytes Page：15 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches 文件：240.42 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEQ-T1-E3	文件：240.42 Kbytes Page：15 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches 文件：240.42 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
DG612AEY-T1-E3	文件：240.42 Kbytes Page：15 Pages	1 pC Charge Injection, 100 pA Leakage, Quad SPST Switches 文件：240.42 Kbytes 页数：15 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY

详细参数

型号：
DG612AE
功能描述：
模拟开关 IC Quad SPST Switches
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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