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DG611DY-T1-E3	文件：187.35 Kbytes Page：15 Pages	High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches FEATURES •Fastswitching-tON:12ns •Lowchargeinjection:±2pC •Widebandwidth:500MHz •5VCMOSlogiccompatible •LowRDS(on):18 •Lowquiescentpower:1.2nW •Singlesupplyoperation BENEFITS •Improveddatathroughput •Minimalswitchingtransients •Improvedsystem	VishayVishay Siliconix 威世科技
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DG611DY-T1-E3

文件：187.35 Kbytes

Page：15 Pages

High-Speed, Low-Glitch D/CMOS Analog Switches

FEATURES •Fastswitching-tON:12ns •Lowchargeinjection:±2pC •Widebandwidth:500MHz •5VCMOSlogiccompatible •LowRDS(on):18 •Lowquiescentpower:1.2nW •Singlesupplyoperation BENEFITS •Improveddatathroughput •Minimalswitchingtransients •Improvedsystem

VishayVishay Siliconix

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DG611DY-T1-E3

文件：130.72 Kbytes

Page：10 Pages

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DG611DY-T1-E3

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详细参数

型号：
DG611DY-T1-E3
功能描述：
模拟开关 IC High-Speed Switch
RoHS：
否
制造商：
Texas Instruments
开关数量：
2
开关配置：
SPDT
开启电阻（最大值）：
0.1 Ohms
工作电源电压：
2.7 V to 4.5 V
最大工作温度：
+ 85 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DSBGA-16

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更多DG611DY-T1-E3供应商更新时间2024-4-28 11:00:00

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