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DG40H12T2

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1200V/40A IGBT with Diode

General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features  Low VCE(sat) Trench IGBT technology  Low switching loss  Maximum junction temperature 175oC

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STARPOWER

斯达半导体

DG40H12T2

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分立器件

StarPower

斯达半导体

DG411AK/883

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CDIP16

DG411DYZ

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SOP-16

DG412DVZ贴片二极管

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TSSOP16

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更多DG40H12T2供应商 更新时间2026-1-30 13:00:00

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