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B303N	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303-N	文件：45.86 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
B303P	文件：1.31658 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypeNegativeBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303P	文件：1.32243 Mbytes Page：3 Pages	30AmpereStandardTypePositiveBlockRectifierDiodesforMitsubishiAlternator	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
B303-P	文件：45.86 Kbytes Page：2 Pages	BLOCKTYPEAUTOMOTIVEPECTIFIER	MIC MIC GROUP RECTIFIERS	MIC
BA303	文件：45.83 Kbytes Page：2 Pages	BA/BCSeries:1.5-6.0WattsSingleandDualOutputs FEATURES •InputπFilter •FullyRegulatedOutputs •IndustryStandardPinouts •5,12,24,28,and48VDCInputs •RippleandNoiseLessThan50mVpp •Input/OutputIsolation	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BAV303	文件：90.97 Kbytes Page：5 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：61.09 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarDiodes FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：138.2 Kbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTSWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed SurfaceMountPackageIdeallySuitedforAutomaticInsertion ForGeneralPurposeSwitchingApplications HighConductance FitsonSOD-323/SOT-23Footprint	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
BAV303	文件：329.049 Kbytes Page：2 Pages	250VDetectionswitchtube	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司 PDF上传者：深圳市福田区吉富昌电子商行	SUNMATE
BAV303	文件：120.61 Kbytes Page：2 Pages	SwitchingDiode Features ♦SiliconEpitaxialPlanarDiodes ♦Savingspace ♦Hermeticsealedparts ♦FitsontoSOD323/SOT23footprints ♦Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100...BAV103/BAV200...BAV203 Applications ✦Generalpurpose MechanicalData ✦Case:MicroMELFGlassCase ✦Weigh	Good-Ark Good-Ark	Good-Ark
BAV303	文件：1.02278 Mbytes Page：2 Pages	SURFACEMOUNTFASTSWITCHINGDIODE Features ●Hermeticsealedparts ●Savingspace ●SiliconEpitaxialPlanarDiodes	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
BAV303	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BAV303	文件：85.65 Kbytes Page：3 Pages	HIGHVOLTAGESURFACEMOUNTSWITCHINGDIODES	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BAV303	文件：716.59 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes Features •SavingSpace •SiliconEpitaxialPlanarDiodes •HermeticSealedParts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •ElectricaldataidenticalwiththedevicesBAV100…BAV103 •MoistureSensitivityLevel1 •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(Note1)(PSuffixdesignates RoHSComplian	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体公司	MCC
BAV303-TR	文件：135.81 Kbytes Page：6 Pages	SmallSignalSwitchingDiodes,HighVoltage FEATURES •Siliconepitaxialplanardiodes •Savingspace •Hermeticsealedparts •FitsontoSOD-323/SOT-23footprints •Electricaldataidenticalwiththedevices BAV100toBAV103,BAV200toBAV203 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleasese	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
BB-303	文件：448.79 Kbytes Page：1 Pages	BaseboardforTMCM-303/TMCM-343	TRINAMICTRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG. TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG.	TRINAMIC
BB303M	文件：102.66 Kbytes Page：14 Pages	BuildinBiasingCircuitMOSFETICVHF/UHFRFAmplifier Features •BuildinBiasingCircuit;Toreduceusingpartscost&PCboardspace. •Highforwardtransferadmittance;(\|yfs\|=42mStyp.atf=1kHz) •WithstandingtoESD;BuildinESDabsorbingdiode.Withstandupto250VatC=200pF,Rs=0conditions. •Provideminimoldpackages;MPAK-	HitachiHitachi, Ltd. 日立公司	Hitachi
BC303	文件：56.45 Kbytes Page：1 Pages	SmallSignalTransistors	CentralCentral Semiconductor Corp 美国中央半导体	Central
BC303	文件：122.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES PNPSILICONAFMEDIUMPOWERAMPLIFIERS&SWITCHES	MICRO-ELECTRONICS Micro Electronics	MICRO-ELECTRONICS

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更多DG303ACD供应商更新时间2024-6-17 15:58:00

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