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DF900R12IP4DV数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

DF900R12IP4DV

参数属性

DF900R12IP4DV 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 900A 5100W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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DF900R12IP4DV规格书详情

描述 Description

1200 V  PrimePACK™ 2 斩波IGBT 模块,也适用于热界面材料,专为 CAV 应用开发。包括第四代沟槽栅/场终止 IGBT、提高的第四代发射极控制二极管和温度检测 NTC。

特性 Features

• 振动鲁棒性高达 15g
• 提高工作温度 Tvj op
• 高直流电压稳定性
• 高短路能力,自限制短路电流
• VCEsat 带正温度系数
• 低 VCEsat
• 4kV 交流 1 分钟绝缘
• 封装的 CTI > 400
• 高爬电距离和电气间隙
• 高功率循环和温度循环能力
• 低热阻衬底
• UL 认证

优势:
• 提高负载循环能力
• 在危险条件下仍坚固耐用
• 高抗振动性和高抗冲击性
• 电气驱动优于液压系统

简介

DF900R12IP4DV属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF900R12IP4DV晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DF900R12IP4DV

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Chopper

  • Technology

    :IGBT4 - P4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :900 A

  • OPN

    :DF900R12IP4DVBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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