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DF900R12IP4D中文资料IGBT模块数据手册Infineon规格书

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厂商型号

DF900R12IP4D

参数属性

DF900R12IP4D 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 900A 5100W

功能描述

IGBT模块
IGBT MOD 1200V 900A 5100W

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-27 14:20:00

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DF900R12IP4D规格书详情

描述 Description

1200 V PrimePACK™2 chopper IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT4, also available with Thermal Interface Material, increased Emitter Controlled 4 diode and NTC.

特性 Features

• Extended Operation Temperature T(tvj op)
• High DC Stability
• High Short Circuit Capability, Self Limiting Short Circuit Current
• VCE(sat) with positive Temperature Coefficient
• Low VCE(sat)
• 4kV AC 1min Insulation
• Package with CTI > 400
• High Creepage and Clearance Distances
• High Power and Thermal Cycling Capability
• Substrate for Low Thermal Resistance
• UL recognized

优势:
• High Power Density
• Standardized housing

简介

DF900R12IP4D属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的DF900R12IP4D晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :DF900R12IP4D

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :Chopper

  • Technology

    :IGBT4 - P4

  • IC(nom) / IF(nom)

    :900 A

  • OPN

    :DF900R12IP4DBOSA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.7 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.65 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :PrimePACK™ 2

  • Dimensions length

    :172 mm

  • Dimensions width

    :89 mm

  • Package name

    :AG-PRIME2

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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