| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
DF80R12W2H3F_B11
- 产品分类：
芯片
- 生产厂商：
- 库存数量：
8000
- 产品封装：
原装
- 生产批号：
23+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-7 15:01:00
首页>DF80R12W2H3F_B11>芯片详情
DF80R12W2H3F_B11_INFINEON/英飞凌_Bypass-Diode / Bypass-Diode安富世纪二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：DF80R12W2H3F_B11
- 生产厂家
：英飞凌
- ICmax
：80 A
- VCE(sat)(Tvj=25°C typ)
：1.55 V
- VF(Tvj=25°C typ)
：1.6 V
- Housing
：EasyPACK™ 2B
- Dimensions(width)
：48 mm
- Dimensions(length)
：56.7 mm
- Technology
：IGBT HighSpeed 3
- Features
：PressFIT
- Voltage Classmax
：1200 V
- Qualification
：Industrial
- Configuration
：Booster
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