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DESD5V0L2BTQ	文件：438.98 Kbytes Page：5 Pages	TWO CHANNEL BIDIRECTIONAL TVS DIODE Features •ProvidesESDProtectionperIEC61000-4-2Standard:Air±30kV,Contact±30kV •OneChannelofESDProtection •LowChannelInputCapacitance •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •TheDESDxxVxL2BTLQseriesis	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
DESD5V0L2BTQ-7	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
ESDU5V0L2	文件：747.49 Kbytes Page：6 Pages	Uni-directionESDProtectionDiode	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
PESD5V0L2BT	文件：748.93 Kbytes Page：14 Pages	LowcapacitancedoublebidirectionalESDprotectiondiodesinSOT23 1.1Generaldescription LowcapacitancedoublebidirectionalElectroStaticDischarge(ESD)protectiondiodesina SOT23smallSurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackagedesignedtoprotecttwo signallinesfromthedamagecausedbyESDandothertransients. 1.2Features nESDprotectiono	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PESD5V0L2BT	文件：1.5312 Mbytes Page：4 Pages	2-LineBi-directionalTVSDiode Features ●Ultralowleakage:nAlevel ●Operatingvoltage:5V ●Lowclampingvoltage ●Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Lightning)10A(8/20μs) ●RoH	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
PESD5V0L2BT	文件：218.95 Kbytes Page：3 Pages	2-LineBi-directionalTVSDiodeArray Features Ultralowleakage:nAlevel Operatingvoltage:5V Lowclampingvoltage Complieswithfollowingstandards: –IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV –IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) –IEC61000-4-5(Lightning)5A(8/20μs) RoHSCompliant	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
PESD5V0L2BT	文件：189.54 Kbytes Page：14 Pages	LowcapacitancedoublebidirectionalESDprotectiondiodesinSOT23	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PESD5V0L2BT	文件：179.39 Kbytes Page：14 Pages	LowcapacitancedoublebidirectionalESDprotectiondiodesinSOT23	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PESD5V0L2BT	文件：303.79 Kbytes Page：3 Pages	350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Features 350Wpeakpulsepower(tp=8/20μs) Bidirectionalconfigurations Solid-statesilicon-avalanchetechnology Lowclampingvoltage Lowleakagecurrent IEC61000-4-2±30kVcontact±30kVair IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) IEC61000-4-5(Lightning)17A(8/20μs) Applications Dataline Auto	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
PESD5V0L2UM	文件：1.38521 Mbytes Page：4 Pages	2-LineUltraLowCapacitanceTVSDiode Features «Ulirasmallpackage:1.040.6x0.5mm «Ultralowcapacitance:0.3pFtypical(1/0-1/0) «Ultralowleakage:nAlevel «Lowoperatingvoltage:5 «Lowclampingvoltage +3pinleadiesspackage «+Upto2ineprotects «Complieswithfollowingstandards: ~IEC610004-2(ESD)immunitytest A	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

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