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DDTD114TC-7

NPN PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (DDTB) • Built-In Biasing Resistors, R1, R2 • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant • Green Device (Notes 2 and 3)

文件:69.87 Kbytes 页数:3 Pages

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美台半导体

DDTD114TC-7-F

NPN PRE-BIASED 500mA SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary PNP Types Available (DDTB) • Built-In Biasing Resistors, R1, R2 • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant • Green Device (Notes 2 and 3)

文件:79.88 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

DDTD114TC-7-F

Package:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

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美台半导体

DDTB114TC-7-F

PNP PRE-BIASED 500 mA SOT-23 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Types Available (DDTD) • Built-In Biasing Resistors, R1, R2 • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2)

文件:78.04 Kbytes 页数:3 Pages

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美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DDTD114TC-7

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 200MW 10KW

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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