DDTC115EE分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
DDTC115EE |
| 参数属性 | DDTC115EE 封装/外壳为SOT-523；包装为剪切带（CT）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523 |
| 功能描述 | NPN PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR |
| 封装外壳 | SOT-523 |
| 文件大小 |
112.75 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Diodes Incorporated |
| 企业简称 |
DIODES |
| 中文名称 | Diodes Incorporated官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-19 17:00:00 |
| 人工找货 | DDTC115EE价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号：
DDTC115EE-7-F
- 制造商：
Diodes Incorporated
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
剪切带（CT）
- 晶体管类型：
NPN - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
82 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 250µA，5mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
500nA
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
SOT-523
- 供应商器件封装：
SOT-523
- 描述：
TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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