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DDTA113ZE-7

PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Types Available (DDTC) • Built-In Biasing Resistors, R1≠R2 • Lead Free Finish/RoHS Compliant (Note 1) • Green Device (Note 2 and 3)

文件:73.17 Kbytes 页数:4 Pages

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美台半导体

DDTA113ZE-7-F

丝印:P02;Package:SOT523;PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features - Epitaxial Planar Die Construction - Complementary NPN Types Available (DDTC) - Built-In Biasing Resistors, R1R2 - Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) - Halogen and Antimony Free Green Device (Note 3) - Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

文件:349.06 Kbytes 页数:6 Pages

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美台半导体

DDTA113ZE-7-F

PNP PRE-BIASED SMALL SIGNAL SOT-523 SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件:89.04 Kbytes 页数:5 Pages

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美台半导体

DDTA113ZE-7-F

Package:SOT-523;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 150MW SOT523

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美台半导体

详细参数

  • 型号:

    DDTA113ZE-7

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 150MW 1KW 10KW

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多DDTA113ZE-7供应商 更新时间2026-1-29 17:00:00