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DCP51-16	文件：189.54 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DCP54) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DCP51-16-13	文件：189.54 Kbytes Page：4 Pages	PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DCP54) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DCP51-16-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 45V 1A SOT223-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司
DCX51-16	文件：229.02 Kbytes Page：4 Pages	PNPSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(DCX54) •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •IdealforMediumPowerSwitchingorAmplificationApplications •LeadFreeByDesign/RoHSCompliant(Note1) •GreenDevice(Note2)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
TPBCP51-16	文件：1.30937 Mbytes Page：4 Pages	PNPSiliconEpitaxialPlanarTransistor Features HighCollectorCurrent LowCollector-emitterSaturationVoltage	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC

详细参数

型号：
DCP51-16
功能描述：
两极晶体管 - BJT 1W -45V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多DCP51-16供应商更新时间2025-8-3 16:30:00

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