SMAJ6.0CA-TR芯片代码丝印对应型号-114ic电子网

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DBB	文件：148.15 Kbytes Page：10 Pages	型号：SMAJ6.0CA-TR；Package：DO-214AC；Transil™ Features ■Peakpulsepower: –400W(10/1000μs) –2.3kW(8/20μs) ■Standoffvoltagerange:from5Vto188V ■Unidirectionalandbidirectionaltypes ■Lowleakagecurrent: –0.2μAat25°C –1μAat85°C ■OperatingTjmax:150°C ■HighpowercapabilityatTjmax: –270W(10/1	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
DBBH	文件：548.8 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9011IRBCZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9011isahighperformancedualLDOcapableofsourcing150mAcurrentfromChannel1and300mAfromChannel2.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Arefer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBF	文件：548.8 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9011IRBLZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9011isahighperformancedualLDOcapableofsourcing150mAcurrentfromChannel1and300mAfromChannel2.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Arefer	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBS	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRBJZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBN	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRFJZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBR	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRGCZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBP	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRJCZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBT	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRJMZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBM	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRKFZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
DBBW	文件：550.51 Kbytes Page：11 Pages	型号：ISL9014IRKKZ；Package：10Ld3x3DFN；Dual LDO with Low Noise, Low IQ and High PSRR DualLDOwithLowNoise,LowIQandHighPSRR ISL9014isahighperformancedualLDOcapableofsourcing300mAcurrentfrombothoutputs.Thedevicehasalowstandbycurrentandhigh-PSRRandisstablewithoutputcapacitanceof1µFto10µFwithESRofupto200mΩ. Features •Integratestwohi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
DBB
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 400W 6.0V Bidirect
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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