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DAM40N65H	文件：241.88 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel Enhancement Mode MOSFET	DACO DACO SEMICONDUCTOR CO.,LTD.	DACO
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FGA40N65SMD	文件：298.83 Kbytes Page：14 Pages	DESIGN/PROCESSCHANGENOTIFICATION Description SuperFET®IIMOSFETisFairchildSemiconductor®’sfirstgenerationofhighvoltagesuper-junction(SJ)MOSFETfamilythatisutilizingchargebalancetechnologyforoutstandinglowon-resistanceandlowergatechargeperformance.Thisadvancedtechnologyistailoredtominimizeconducti	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGA40N65SMD	文件：373.25 Kbytes Page：9 Pages	FieldStopIGBT650V,40A GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,onsemi’snewseriesof fieldstop2ndgenerationIGBTsoffertheoptimumperformancefor solarinverter,UPS,welder,inductionheating,telecom,ESSandPFC applicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Featu	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FGH40N65UFD	文件：729.1 Kbytes Page：9 Pages	650V,40AFieldStopIGBT GeneralDescription UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,Fairchild®’sfieldstopIGBTsoffertheoptimumperformanceforsolarinverter,UPS,welderandPFCapplicationswherelowconductionandswitchinglossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVoltage:VCE	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FGH40N65UFDTU	文件：478.2 Kbytes Page：10 Pages	IGBT-FieldStop650V,40A Description UsingnovelfieldstopIGBTtechnology,ONSemiconductor’sfield stopIGBTsoffertheoptimumperformanceforAutomotiveChargers, Inverter,andotherapplicationswherelowconductionandswitching lossesareessential. Features •HighCurrentCapability •LowSaturationVolt	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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HMG40N65T	文件：753.21 Kbytes Page：4 Pages	650V40Atrenchgatefieldcut-offtypeIGBT	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HMS40N65T	文件：958.9 Kbytes Page：7 Pages	650VN-ChannelsuperjunctionMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI

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