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ESDR0502NMUTAG	文件：86.92 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowCapacitanceESDProtectionArray	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESDR0502NMUTAG	文件：126.94 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowCapacitanceESDProtectionArrayforHighSpeedDataLineProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
ESDR0502NMUTBG	文件：160.06 Kbytes Page：5 Pages	UltraLowCapacitanceESDProtectionArrayforHighSpeedDataLineProtection	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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ESDR0502NMUTBG-TP	文件：1.27887 Mbytes Page：4 Pages	LowCapacitanceTVSDiodeArray Features ©Ultalowcapacitance03pFtypical(10010) ©Ultralowleakage:nAlevel\| Lowoperatingvoltage:5V ®Complieswithfollowingstandards: ©~IEC61000-4-2(ESD)immunitytest\| Airdischarge:£20kV Contactdischarge:+15kV ©—IEC61000-4-5(Lightning)35A(8/20us) ®RoHS	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
F0502	文件：2.2434 Mbytes Page：54 Pages	SamplingIFReceiver1710MHzto2050MHz	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
F0502	文件：2.31716 Mbytes Page：36 Pages	SamplingIFReceiver2300MHzto2700MHz	IDT Integrated Device Technology, Inc.	IDT
F0502	文件：2.78956 Mbytes Page：39 Pages	SamplingIFReceiver600MHzto1000MHz DESCRIPTION ThisdocumentdescribesthespecificationsfortheF0502 600MHzto1000MHzdualpathSamplingIF(SIF) ReceiverusedinMulti-mode,Multi-carrierBaseStation Receivers.RefertothePartNumber#Matrixbelow describingthefrequencycoverageofthecompleteseries. Thisseriesis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
F0502NLGI	文件：2.78956 Mbytes Page：39 Pages	SamplingIFReceiver600MHzto1000MHz DESCRIPTION ThisdocumentdescribesthespecificationsfortheF0502 600MHzto1000MHzdualpathSamplingIF(SIF) ReceiverusedinMulti-mode,Multi-carrierBaseStation Receivers.RefertothePartNumber#Matrixbelow describingthefrequencycoverageofthecompleteseries. Thisseriesis	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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