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ESDR0502NMUTAG电路保护TVS-二极管规格书PDF中文资料

ESDR0502NMUTAG
厂商型号

ESDR0502NMUTAG

参数属性

ESDR0502NMUTAG 封装/外壳为6-UFDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为电路保护 > TVS - 二极管;ESDR0502NMUTAG应用范围:以太网;产品描述:TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN

功能描述

Ultra Low Capacitance ESD Protection Array for High Speed Data Line Protection
TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN

文件大小

126.94 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-5-31 22:58:00

ESDR0502NMUTAG规格书详情

ESDR0502NMUTAG属于电路保护 > TVS - 二极管。安森美半导体公司制造生产的ESDR0502NMUTAGTVS - 二极管TVS 二极管是一种半导体器件,可用于限制或阻止特定电压电平的浪涌。该系列产品使用二极管(只能单向导电的元器件)进行设计。TVS 是 Transient Voltage Suppression/Suppressor(瞬态电压抑制/抑制器)的首字母缩写。类型包括转向(轨至轨)或齐纳,具有单向通道、双向通道、电压 – 反关态、电压 – 击穿、电压 – 箝位、电流 – 峰值脉冲、功率 – 峰值脉冲和电源线路保护等特征。

产品属性

  • 产品编号:

    ESDR0502NMUTAG

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 二极管

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 类型:

    转向装置(轨至轨)

  • 电压 - 反向断态(典型值):

    5.5V(最大)

  • 电压 - 击穿(最小值):

    6V

  • 功率 - 峰值脉冲:

    100W

  • 电源线路保护:

  • 应用:

    以太网

  • 不同频率时电容:

    0.3pF @ 1MHz

  • 工作温度:

    -40°C ~ 125°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-UFDFN

  • 供应商器件封装:

    6-UDFN(1.2x1)

  • 描述:

    TVS DIODE 5.5VWM 6UDFN

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