isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current : ID= 10A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage : VDSS=350V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.55Ω(Max) @ VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-D

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ISC

无锡固电

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INTEL(英特尔)

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DIP

NEC

瑞萨

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DIP40

INTEL

英特尔

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